Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Restriction of a Number of Levels of Dimensional Quantization in Elements of Nanoelectronics

Статья в журнале

Realization of a criterion of dimensional quantization in quantum wells of various profiles is considered. It is established that there is the limit number of the discrete state of a free charge carrier in the well, above which the criterion of dimensional quantization is not fulfilled. It is shown that in quantum wells of rectangular and triangular profiles, the number of levels of dimensional quantization cannot exceed two or three. The result obtained is applicable to quantum wells, quantum wires, and quantum dots.

Журнал:

  • Russian Physics Journal
  • В-Спектр (Томск)
  • Индексируется в Scopus

Библиографическая запись: Davydov, V. N. Restriction of a Number of Levels of Dimensional Quantization in Elements of Nanoelectronics / V. N. Davydov, O. F. Zadorozhny, O. A. Karankevich // Russian Physics Journal. - 2019. - Vol. 6. - Iss. 3. - P. 499-504. - DOI: 10.1007/s11182-019-01737-5

Индексируется в:

Год издания:  2019
Страницы:  499 - 504
Язык:  Английский
DOI:  10.1007/s11182-019-01737-5