Исследование влияния параметров техпроцесса на электрофизические характеристики полевого транзистора с барьером Шоттки с применением приборно-технологического моделирования

Статья в журнале

В статье представлены результаты исследования физико-технологической модели типового полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ). Проведено моделирование пробивных характеристик ПТШ при различных параметрах подзатворного углубления. Представлено сравнение диаграмм скорости генерации горячих носителей для плоской структуры ПТШ и структуры с подзатворным углублением. Получена зависимость напряжения пробоя стока от глубины подзатворного углубления. Также в работе предложен новый подход, позволяющий установить взаимосвязь между параметрами ионной имплантации контактных областей и канала ПТШ и внутренними емкостями малосигнальной эквивалентной схемы транзистора. Данный подход основан на перспективном направлении контроля, называемом виртуальной метрологией, где параметры технологического процесса используются для предсказывания критических параметров, характеризующих его результат. Для реализации данного подхода построены предиктивные модели на основе четырех популярных методов машинного обучения: линейной регрессии, машины опорных векторов, искусственной нейронной сети и композиции решающих деревьев.

Журнал:

• Вопросы радиоэлектроники
• Центральный научно-исследовательский институт экономики, систем управления и информации "Электроника" (Москва)

Библиографическая запись: Исследование влияния параметров техпроцесса на электрофизические характеристики полевого транзистора с барьером Шоттки с применением приборно-технологического моделирования: [Электронный ресурс] / А. А. Попов [и др.] // Вопросы радиоэлектроники. – 2020. – №2 (49). – С. 23-30. – DOI: 10.21778/2218-5453-2020-2-23-30

Индексируется в:

• РИНЦ ( https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42780599 )
• ВАК ( https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42780599 )