Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Универсальный алгоритм построения линейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора для усилительных применений

Статья в журнале

Представлен универсальный алгоритм, позволяющий производить построение линейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора с общим истоком, предназначенной для дальнейшего применения в проектировании и моделировании СВЧ монолитных интегральных схем. Алгоритм представляет из себя комбинацию различных методик экстракции паразитных параметров GaAs pHEMT СВЧ-транзистора и позволяет выполнять построение линейных моделей транзисторов, изготовленных на различных предприятиях с варьируемой общей шириной затвора. Ошибка моделирования параметров рассеяния для построенных моделей не превышает 10%.

Журнал:

  • Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)
  • Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (Москва)

Библиографическая запись: Степанов, В. И. Универсальный алгоритм построения линейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора для усилительных применений : [Электронный ресурс] / В. И. Степанов, А. А. Попов, А. С. Сальников // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). – 2020. – №4 – С. 76-82. – DOI: 10.31114/2078-7707-2020-4-76-82

Индексируется в:

Год издания:  2020
Страницы:  76 - 82
Язык:  Русский
DOI:  10.31114/2078-7707-2020-4-76-82