Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами

Статья в журнале

Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с энергиями 0.193, 0.207, 0.353 и 0.356 эВ. Из сравнения результатов проведённого расчета энергетического спектра электронной и дырочной квантовых ям с полученными экспериментальными данными предположено, что указанные пики могут быть интерпретированы как энергии фононов, генерируемых при захвате электронов из барьерного слоя на второй уровень размерного квантования, а также при релаксации электронов со второго уровня на излучательный уровень и захвате дырок на верхний уровень квантовой ямы.

Журнал:

  • Известия высших учебных заведений. Физика
  • Национальный исследовательский Томский государственный университет (Tomsk)

Библиографическая запись: Давыдов, В. Н. Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов, А. Н. Лапин, О. Ф. Задорожный // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2021. – Т. 64. – № 3. – С. 144-147. – DOI: 10.17223/00213411/64/3/144

Индексируется в:

Год издания:  2021
Страницы:  144 - 147
Язык:  Русский
DOI:  10.17223/00213411/64/3/144