Влияние флуенса электронов на концентрацию центров окраски в полых частицах оксида алюминия
Статья в журнале
Исследовано влияние флуенса электронов с энергией 30 кэВ в диапазоне (1–7) × 1016 см–2 на концентрацию центров окраски в полых частицах оксида алюминия микронного размера в сравнении с объемными микрочастицами Al2O3. Анализ проводили по спектрам диффузного отражения в области от 250 до 2500 нм in situ. Радиационную стойкость исследуемых микросфер оценивали относительно микрочастиц Al2O3 из анализа разностных спектров диффузного отражения, полученных вычитанием спектров после облучения из спектров необлученных образцов. Изменения разностных спектров диффузного отражения микрочастиц и микросфер оксида алюминия показали, что с увеличением флуенса электронов наведенное поглощение увеличивается во всем спектре. Установлено, что радиационная стойкость микросфер оксида алюминия к воздействию электронов с энергией 30 кэВ при флуенсе (1–7) × 1016 см–2 больше по сравнению с радиационной стойкостью микрочастиц Al2O3. Увеличение радиационной стойкости полых частиц оксида алюминия обусловлено малой концентрацией радиационных дефектов анионной подрешетки.
Журнал:
- Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования
- Наука (Москва)
Библиографическая запись: Влияние флуенса электронов на концентрацию центров окраски в полых частицах оксида алюминия [Электронный ресурс] / В. Ю. Юрина [и др.] // Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. – 2023. – № 2 – С. 33-39. – DOI: 10.31857/S1028096023020152
Ключевые слова:
ОКСИД АЛЮМИНИЯ МИКРОЧАСТИЦЫ ПОЛЫЕ ЧАСТИЦЫ МИКРОСФЕРЫ СПЕКТРЫ ДИФФУЗНОГО ОТРАЖЕНИЯ ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ ОБЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНЫ ФЛУЕНС ДЕФЕКТЫИндексируется в: