Исследование спектральных зависимостей коэффициента поглощения в кристаллах силиката висмута, подвергнутых отжигу в вакууме
Статья в журнале
Представлены результаты экспериментальных исследований изменений в спектральных зависимостях оптического поглощения для диапазона 400 - 1100 нм в кристаллах силиката висмута (Bi₁₂SiO₂₀), вызванных отжигом в вакууме при температурах от 620 до 780 °С и облучением светом с длиной волны λ = 1064 нм. Обнаружены различия в спектральных зависимостях оптического поглощения и в их чувствительности к вакуумному отжигу и ИК засветке, для нелегированных кристаллов Bi₁₂SiO₂₀, имеющих разное происхождение. Эти различия могут быть связаны с разной стехиометрией исследованных кристаллов в исходном состоянии.
Журнал:
- Известия высших учебных заведений. Физика
- Национальный исследовательский Томский государственный университет (Томск)
Библиографическая запись: Шандаров, С. М. Исследование спектральных зависимостей коэффициента поглощения в кристаллах силиката висмута, подвергнутых отжигу в вакууме / С. М. Шандаров //Известия высших учебных заведений. Физика. – 2012. – Т. 55. – №8-3. – С. 60–61.
Ключевые слова:
ОПТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ СПЕКТРАЛЬНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ СИЛИКАТ ВИСМУТА ОТЖИГ В ВАКУУМЕИндексируется в: