Исследование спектральных зависимостей оптического поглощения в кристаллах силленитов, подвергнутых отжигу
Статья в журнале
Представлены результаты экспериментальных исследований и численной аппроксимации спектральных зависимостей оптического поглощения в спектральном диапазоне 400–1100 нм в кристаллах Bi12SiO20, подвергнутых отжигу в вакууме при температурах от 620 до 785 °C и последующему поэтапному отжигу в воздушной атмосфере в диапазоне температур 160–390 °C, а также облучению лазерными импульсами с длиной волны λ = 1064 нм. Обнаружены различия в спектральных зависимостях оптического поглощения и чувствительности к вакуумному отжигу и ИК-засветке для нелегированных кристаллов Bi12SiO20, имеющих разное происхождение. Проведена численная аппроксимация наблюдаемых спектральных зависимостей коэффициента поглощения.
Журнал:
- Доклады ТУСУР
- Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)
Библиографическая запись: Исследование спектральных зависимостей оптического поглощения в кристаллах силленитов, подвергнутых отжигу / Худякова Е.С. [и др.] // Доклады ТУСУРа. – 2012. – №2 (26), Ч. 2. – С. 165-168.
Индексируется в: