Фото и термоиндуцированные изменения оптического поглощения в кристаллах силленитов
Статья в журнале
В данной работе комплексно исследованы спектры оптического поглощения в диапазоне 400 – 1000 нм и проведен их сравнительный анализ для кристаллов Bi₁₂SiO₂₀, Bi₁₂GeO₂₀ и Bi₁₂TiO₂₀:Al, подвергнутых как отжигу в воздушной атмосфере при температурах от 200 до 690 °С, так и лазерной засветке с длинами волн 532, 655 и 1064 нм и дозами излучения 160, 140 и 391 Дж/см2, соответственно. Показано, что для исследованных кристаллов проведенные экспериментальные исследования позволили зафиксировать спектры с минимальными и максимальными значениями коэффициентов поглощения, которые аппроксимировались в рамках модели примесного поглощения, учитывающей вклад как процессов фотовозбуждения электронов в зону проводимости с глубоких донорных центров и внутрицентровых переходов, так и краевого поглощения, подчиняющегося правилу Урбаха.
Журнал:
- Физическое образование в ВУЗах
- ООО "Издательский дом МФО" (Москва)
Библиографическая запись: Фото и термоиндуцированные изменения оптического поглощения в кристаллах силленитов / Худякова Е. С. [и др. ] // Физическое образование в ВУЗах. – 2015. – Т. 21. – № 1С. – С. 39-40.
Ключевые слова:
ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОГЛОЩЕНИИ ТЕРМОИНДУЦИРОВАННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОГЛОЩЕНИИ КРИСТАЛЛЫ КЛАССА СИЛЛЕНИТОВ СПЕКТРАЛЬНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯИндексируется в: