Сайты ТУСУРа

Формирование микрорельефа и исследование его влияния на коэффициент оптического вывода светодиода на основе GaN

Статья в журнале

Исследовано влияние просветляющих покрытий на световыводящей поверхности светодиода на основе GaN при наличии в них микрорельефа различной конфигурации на коэффициент оптического вывода. Для решения поставленной задачи разработана технология формирования микрорельефа в покрытиях на основе SiO2 и реализовано моделирование влияния размеров и конфигурации микрорельефа на коэффициент оптического вывода.

Журнал:

  • Нано- и микросистемная техника
  • Новые технологии, Нано- и микросистемная техника (Москва)

Библиографическая запись: Данилина, Т. И. Формирование микрорельефа и исследование его влияния на коэффициент оптического вывода светодиода на основе GaN / Т. И. Данилина, И. А. Чистоедова, А. А. Попов // Нано- и микросистемная техника. – 2016. – Т. 18. – №11. – С. 708–712.

Индексируется в:

Научный руководитель:  Данилина Т. И.
Год издания:  2016
Страницы:  708 - 712
Язык:  Русский
DOI:  DOI не указана