Сайты ТУСУРа

Моделирование коэффициента оптического вывода светодиода на основе GaN при наличии микрорельефа на световыводящей поверхности

Статья в журнале

Представлены результаты моделирования микрорельефа различной конфигурации на слое n-GaN в светодиодной гетероструктуре на основе GaN/InGaN. Определена оптимальная геометрия микроостриев, позволяющая увеличить коэффициент оптического вывода в 2 раза по сравнению с плоской световыводящей поверхностью.

Журнал:

  • Доклады ТУСУРа
  • Издательство Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Библиографическая запись: Данилина, Т. И. Моделирование коэффициента оптического вывода светодиода на основе GaN при наличии микрорельефа на световыводящей поверхности [Электронный ресурс] / Т. И. Данилина, А. А. Попов // Доклады ТУСУРа. – 2015. – №4 (38). – С. 83–85.

Индексируется в:

Научный руководитель:  Данилина Т. И.
Год издания:  2015
Страницы:  83 - 85
Язык:  Русский
DOI:  DOI не указана