Моделирование коэффициента оптического вывода светодиода на основе GaN при наличии микрорельефа на световыводящей поверхности
Статья в журнале
Представлены результаты моделирования микрорельефа различной конфигурации на слое n-GaN в светодиодной гетероструктуре на основе GaN/InGaN. Определена оптимальная геометрия микроостриев, позволяющая увеличить коэффициент оптического вывода в 2 раза по сравнению с плоской световыводящей поверхностью.
Журнал:
- Доклады ТУСУРа
- Издательство Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (Томск)
Библиографическая запись: Данилина, Т. И. Моделирование коэффициента оптического вывода светодиода на основе GaN при наличии микрорельефа на световыводящей поверхности [Электронный ресурс] / Т. И. Данилина, А. А. Попов // Доклады ТУСУРа. – 2015. – №4 (38). – С. 83–85.
Индексируется в: