Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Ускоренные испытания полупроводниковых источников света на долговечность

Статья в журнале

Приводятся результаты ускоренных испытаний полупроводниковых светодиодов (СД) белого цвета в пластмассовом корпусе типа 5050 на долговечность. Определена энергия активации доминирующего процесса деградации и температура кристалла СД в процессе испытаний.

Журнал:

  • Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники
  • Издательство: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (г. Томск) (Томск)

Библиографическая запись: Гончарова Ю. С. Ускоренные испытания полупроводниковых источников света на долговечность / Ю. С. Гончарова, И. Ф. Гарипов, В. С. Солдаткин // Доклады ТУСУР. – 2013. – № 2(28). – С. 51–53.

Индексируется в:

Год издания:  2013
Страницы:  51 - 53
Язык:  Русский
DOI:  -