Сайты ТУСУРа

Изучение электрофизических параметров пленок окислов титана применяемых при формировании мемристорных структур

Статья в журнале

Исследованы электрофизические свойства пленок диоксида титана, полученных магнетронным распылением мишени из титана стехиометричного (TiO2) и нестехиометричеого (TiOx) составов, используемых для создания мемристорных элементов энергонезависимой памяти. Показано, что нестехиометриченые пленки TiOx имеют более высокую проводимость. В структурах с двухслойным диэлектриком TiO2-TiOx электрическая прочность определяется прочностью пленок TiO2. Значения диэлектрической проницаемости пленок TiO2 и TiOx существенно различаются.

Журнал:

  • Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники
  • Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Библиографическая запись: Изучение электрофизических параметров пленок окислов титана применяемых при формировании мемристорных структур / П. Е. Троян [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2015. – №4 (38). - С. 64–67.

Индексируется в:

Научный руководитель:  Троян П. Е.
Год издания:  2015
Страницы:  64 - 67
Язык:  Русский
DOI:  DOI не указана