Изучение электрофизических параметров пленок окислов титана применяемых при формировании мемристорных структур
Статья в журнале
Исследованы электрофизические свойства пленок диоксида титана, полученных магнетронным распылением мишени из титана стехиометричного (TiO2) и нестехиометричеого (TiOx) составов, используемых для создания мемристорных элементов энергонезависимой памяти. Показано, что нестехиометриченые пленки TiOx имеют более высокую проводимость. В структурах с двухслойным диэлектриком TiO2-TiOx электрическая прочность определяется прочностью пленок TiO2. Значения диэлектрической проницаемости пленок TiO2 и TiOx существенно различаются.
Журнал:
- Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники
- Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)
Библиографическая запись: Изучение электрофизических параметров пленок окислов титана применяемых при формировании мемристорных структур / П. Е. Троян [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2015. – №4 (38). - С. 64–67.
Индексируется в:
- ВАК ( https://cyberleninka.ru/article/n/izuchenie-elektrofizicheskih-parametrov-plenok-okislov-titana-primenyaemyh-pri-formirovanii-memristornyh-struktur )
- РИНЦ ( https://elibrary.ru/item.asp?id=25436010 )