Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Ограничение числа уровней размерного квантования в элементах наноэлектроники

Статья в журнале

Рассматривается выполнение критерия размерного квантования в квантовых ямах различного профиля. Установлено, что существует предельный номер дискретного состояния свободного носителя заряда в яме, выше которого критерий размерного квантования не выполняется. Показано, что в квантовых ямах прямоугольного и треугольного профиля число уровней размерного квантования не может превышать двух-трех уровней. Полученный результат применим как к квантовым ямам, так и к квантовым проволокам и квантовым точкам.

Журнал:

  • Известия высших учебных заведений. Физика
  • ИД ТГУ (Томск)

Библиографическая запись: Давыдов, В. Н. Ограничение числа уровней размерного квантования в элементах наноэлектроники: [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов, О. Ф. Задорожный, О. А. Каранкевич // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2019. – Т. 62. – №3 (735). – С. 99-103. – DOI: 10.17223/00213411/62/3/99

Индексируется в:

Год издания:  2019
Страницы:  99 - 103
Язык:  Русский
DOI:  10.17223/00213411/62/3/99