Способ изготовления высокочастотного транзистора с нанометровыми затворами
патент на изобретение
Правообладатель: федеральное государственное бюджетное обраоткрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов"
Номер и дата приоритета: 2014143609, 28 октября 2014
Номер патента/свидетельства и дата регистрации: 2578517, 25 февраля 2016
Ключевые слова:
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, НАНОЗАТВОРЫ