Способ изготовления полупроводникового источника света
патент на изобретение
Правообладатель: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Номер и дата приоритета: 2011125739/28, 22 июня 2011
Номер патента/свидетельства и дата регистрации: 2472252, 10 января 2013
Ключевые слова:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИСТОЧНИКИ СВЕТА