Способ бесконтактного определения неравномерности температурного поля в полупроводниковых источниках света
патент на изобретение
Правообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Номер и дата приоритета: 2013133512/28, 18 июля 2013
Номер патента/свидетельства и дата регистрации: 2538070, 14 ноября 2014
Ключевые слова:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИСТОЧНИКИ СВЕТА