11.04.04 - Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) План в архиве
Очная форма обучения, план набора 2021 г.
Изучается: 2 семестр
Цикл дисциплины: Б1. Дисциплины (модули)
Индекс дисциплины: Б1.В.01.08
Обеспечивающая кафедра: Кафедра физической электроники
Рабочая программа
Дополнительная литература
Микроэлектронные устройства СВЧ : учебное пособие для вузов / Ю. Н. Алехин и др., ред. Г. И. Beселов. - М. : Высшая школа, 1988. - 279 с.
Доступно в библиотеке:
29
экземпляров
Гупта К. Машинное проектирование СВЧ устройств / К. Гупта, Р. Гардж, Р. Чадха // nep. с англ., ред. nep. В.Г. Шейнкман. - М. : Радио и связь, 1987. - 428 с.
Доступно в библиотеке:
23
экземляра
Климачев И. И. СВЧ ГИС. Основы технологии и конструирования / И. И. Климачев, В. А. Иовдальский // ред. А.Н. Королев. - М. : Техносфера, 2006. - 351 с.
Доступно в библиотеке:
30
экземпляров
Учебно-методическое пособие
Контрольные испытания
Вид контроля | Семестры |
---|---|
Экзамен | 2 |
Объем дисциплины и виды учебной деятельности
Вид учебной деятельности | 1 семестр | 2 семестр | 3 семестр | 4 семестр | Всего | Единицы |
---|---|---|---|---|---|---|
Лекционные занятия | 18 | 18 | часов | |||
Лабораторные занятия | 16 | 16 | часов | |||
↳ из них практическая подготовка | 16 | 16 | часов | |||
Самостоятельная работа | 74 | 74 | часов | |||
↳ из них практическая подготовка | 0 | часов | ||||
Подготовка и сдача экзамена/зачета | 36 | 36 | часов | |||
Общая трудоемкость | 144 | 144 | часов | |||
4 | 4 | З.Е |
Компетенции
Код | Содержание |
---|---|
ПКР-5 | Способен разрабатывать технические задания на проектирование технологических процессов производства материалов и изделий электронной техники |
ПКР-13 | Способен к организации и проведению экспериментальных исследований с применением современных средств и методов |
ПКР-14 | Способен делать научно-обоснованные выводы по результатам теоретических и экспериментальных исследований, давать рекомендации по совершенствованию устройств и систем, готовить научные публикации и заявки на изобретения |
ПКС-2 | Способен самостоятельно разрабатывать модели наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых интегральных схем, в том числе МИС СВЧ, изготавливаемых на основе гетероструктур |