Top.Mail.Ru
Научно-образовательный портал ТУСУР | Микроэлектроника и твердотельная электроника | Технология СБИС
Сайты ТУСУРа
Научно-образовательный портал ТУСУР
☰

Технология СБИС

11.03.04 - Электроника и наноэлектроника (Микроэлектроника и твердотельная электроника) План в архиве

Очная форма обучения, план набора 2013 г.

Изучается: 8 семестр

Цикл дисциплины: Б1. Дисциплины (модули)

Индекс дисциплины: Б1.В.ДВ.9.2

Обеспечивающая кафедра: Кафедра физической электроники

Рабочая программа

Технология СБИС: Рабочая программа учебной дисциплины «Технология СБИС»/ Чистоедова И. А. ‐ 2016

Основная литература

Технология СБИС: учебное пособие / Т.И.Данилина, В.А.Кагадей , Федеральное агентство по образованию, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра физической электроники. - Томск : ТУСУР, 2007. - 287 с.
Доступно в библиотеке: 51 экземпляр

Данилина Т.И., Кагадей В.А., Анищенко Е.В. Технология кремниевой наноэлектроники: учебн. пособие. – Томск, В-Спектр, 2011. – 262 с.

Дополнительная литература

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: учебное пособие / Г.Я. Красников. – М.: Техносфера, 2011. – 800 с.
Доступно в библиотеке: 2 экземляра

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: учебное пособие для вузов: в 2 ч. / Под ред. Ю.А. Чаплыгина. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. / Ч. 1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование / М.А.Королев, Т.Ю.Крупкина, М.А.Ревелева. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. – 397 с.
Доступно в библиотеке: 10 экземпляров

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: учебное пособие для вузов: в 2 ч. / Под ред. Ю.А. Чаплыгина. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. / Ч. 2: Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования / М.А.Королев [и др.]. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 423 с.
Доступно в библиотеке: 35 экземпляров

Учебно-методическое пособие

Данилина Т.И. Технология кремниевой наноэлектроники: Учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе. – Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012. – 56 с.

Данилина Т.И. Технология кремниевой наноэлектроники: Учебно-методическое пособие по лабораторным работам. – Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2014. – 68 с.


Контрольные испытания

Вид контроля Семестры
Экзамен 8

Объем дисциплины и виды учебной деятельности

Вид учебной деятельности 1 семестр 2 семестр 3 семестр 4 семестр 5 семестр 6 семестр 7 семестр 8 семестр Всего Единицы
Лекция3636часов
Практическая работа1818часов
Лабораторная работа1616часов
Всего аудиторных занятий7070часов
Из них в интерактивной форме1616часов
Самостоятельная работа7474часов
Всего (без экзамена)144144часов
Подготовка и сдача экзамена/зачета3636часов
Общая трудоемкость180180часов
55З.Е

Компетенции

Код Содержание
ПК-8 способностью выполнять работы по технологической подготовке производства материалов и изделий электронной техники
ПСК-2 готовностью к применению современных технологических процессов и технологического оборудования на этапах разработки и производства изделий микроэлектроники и твердотельной электроники
  • Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
  • Address 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40
  • Phone (3822) 51-05-30
  • Printer (3822) 51-32-62, 52-63-65
  • Email office@tusur.ru
  • Time Пн. – пт., 8:30 – 17:30, обед, 13:00 – 14:00