Top.Mail.Ru
Научно-образовательный портал ТУСУР | Измерение ширины запрещенной зоны полупроводника методом температурного сканирования: Учебное - методическое пособие к лабораторной работе / Давыдов В. Н. — 2010. 10 с.
Сайты ТУСУРа
Научно-образовательный портал ТУСУР
☰

Измерение ширины запрещенной зоны полупроводника методом температурного сканирования

Учебное - методическое пособие к лабораторной работе

Целью данной работы является ознакомление студентов с общим подходом к определению фундаментальных параметров полупроводниковых материалов, а также экспериментальное определение ширины запрещенной зоны полупроводников различного физико-химического состава методом температурного сканирования (методом экстракции неосновных носителей заряда).

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Давыдов, В. Н. Измерение ширины запрещенной зоны полупроводника методом температурного сканирования: Учебное - методическое пособие к лабораторной работе [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов. — Томск: ТУСУР, 2010. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1149
Автор:   Давыдов В. Н.
Год издания: 2010
Количество страниц: 10
Скачиваний: 523

Оглавление (содержание)

1. Введение

2. Теоретическая часть

2.1. Общий подход к измерению параметров полупроводника

2.2. Электропроводность полупроводниковых материалов

2.3. Контактные явления в полупроводниках

2.4. Методика определения ширины запрещенной зоны

2.5. Методика проведения эксперимента и обработки результатов

2.6. Контрольные вопросы

3. Экспериментальная часть

3.1. Задание к лабораторной работе

3.2. Порядок выполнения работы

3.3. Методические указания к выполнению работы

4. Требования к составлению и оформлению отчета

5. Литература

Похожие пособия

Физические основы оптоэлектроники: Учебное пособие / Давыдов В. Н. — 2016. 139 с.

Физика полупроводников: Учебно-методическое пособие по лабораторным работам для студентов направлений подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», профиль «Микроэлектроника и твердотельная электроника», 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника», профиль «Нанотехнологии в электронике и микросистемной технике» / Саврук Е. В., Каранский В. В., Смирнов С. В. — 2016. 37 с.

Физические основы микро- и наноэлектроники: Сборник задач и методические указания по проведению практических занятий / Славникова М. М., Несмелов Н. С. — 2015. 32 с.

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода: Руководство к лабораторной работе / Мухачев В. А., Федоров М. В. — 2009. 11 с.

Полупроводниковые наногетероструктуры: Методические указания по самостоятельной работе / Солдаткин В. С., Каменкова В. С. — 2017. 13 с.

  • Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
  • Address 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40
  • Phone (3822) 51-05-30
  • Printer (3822) 51-32-62, 52-63-65
  • Email office@tusur.ru
  • Time Пн. – пт., 8:30 – 17:30, обед, 13:00 – 14:00