Top.Mail.Ru
Научно-образовательный портал ТУСУР | Изучение статических характеристик биполярного транзистора: Методические указания по выполнению лабораторной работы / Агафонников В. Ф. — 2012. 15 с.
Сайты ТУСУРа
Научно-образовательный портал ТУСУР
☰

Изучение статических характеристик биполярного транзистора

Методические указания по выполнению лабораторной работы

Рассмотрены физические процессы, протекающие при работе биполярного транзистора в разных схемах его включения: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК). Показаны преимущества и недостатки для каждой из схем включения (ОБ, ОЭ, ОК).

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Агафонников, В. Ф. Изучение статических характеристик биполярного транзистора: Методические указания по выполнению лабораторной работы [Электронный ресурс] / В. Ф. Агафонников. — Томск: ТУСУР, 2012. — 15 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1299
Автор:   Агафонников В. Ф.
Год издания: 2012
Количество страниц: 15
Скачиваний: 268

Оглавление (содержание)

1. Введение

2. Принцип действия биполярного транзистора в качестве усилителя

3. Статистические характеристики и коэффициент передачи тока в различных схемах включения

3.1 Схема с общей базой

3.2 Схема с общим эмиттером

4. Порядок выполнения работы

5. Задание

6. Вопросы для самопроверки

7. Рекомендуемая литература

List icon

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Конструирование и технология наноэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Конструирование и технология наноэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве

Похожие пособия

Лабораторная работа №3 «Биполярные транзисторы»: Методические указания по дисциплине «Автоматизированное проектирование СВЧ устройств» / Дмитриев В. Д., Брагин Д. С. — 2020. 16 с.

Измерение h-параметров биполярного транзистора: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» / Славникова М. М., Артищев С. А. — 2022. 10 с.

Электроника: Учебно-методическое пособие по выполнению лабораторных работ / Жигальский А. А. — 2025. 61 с.

Схемотехника аналоговых электронных устройств: Лабораторный практикум / Шарыгина Л. И. — 2012. 63 с.

Общая электротехника и электроника. Часть 2 – Общая электроника: Лабораторный практикум / Озеркин Д. В. — 2012. 162 с.

  • Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
  • Address 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40
  • Phone (3822) 51-05-30
  • Printer (3822) 51-32-62, 52-63-65
  • Email office@tusur.ru
  • Time Пн. – пт., 8:30 – 17:30, обед, 13:00 – 14:00