Методическое пособие к лабораторной работе для студентов направлений подготовки 200100.62 «Электроника и наноэлектроника»
Цель данной работы – изучение процессов, протекающих в фоторезисторе при его освещения непрерывным излучением различной частоты и при различных значениях напряжения, приложенного к фоторезистору, а также вычисление из полученных зависимостей параметров полупроводника.
Библиографическая запись:
Давыдов, В. Н. Исследование фотопроводимости в полупроводниках: Методическое пособие к лабораторной работе для студентов направлений подготовки 200100.62 «Электроника и наноэлектроника» [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов. — Томск: ТУСУР, 2013. — 27 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/3564
Оглавление (содержание)
1. Введение
2. Теоретическая часть
2.1. Основные понятия и параметры
2.2. Фотопроводимость полупроводников. Собственная и примесная фотопроводимость
2.3. Полевые свойства фотопроводимости
2.4. Частотные свойства фотопроводимости
3. Вопросы для самостоятельной проверки знаний
4. Экспериментальная часть
4.1. Описание экспериментальной установки
4.2. Задание к лабораторной работе
4.3 Методические указания к выполнению работы
4.4. Порядок выполнения работы
5. Требования к составлению и оформлению отчета
6. Литература
