Современные проблемы светодиодных технологий и светотехнических устройств

ВВЕДЕНИЕ 4

Список литературы к введению. 5

1 Конструкция и технические характеристики светодиодного кристалла 7

1.1 Топология и размеры кристалла 7

1.2 Исследование процессов, технологических режимов установки для лазерного «отстрела» пленочных композиций на основе GaN от эпитаксиальной подложки 11

1.3 Вертикальная конфигурация светодиодов, как способ улучшения выходных параметров и методы ее создания 14

1.4 Отделение гетероэпитаксиальных слоев тот сапфировой подложки путем «отстрела» под воздействием мощного импульса лазерного УФ-излучения (Laser Lift-off или LLO) 17

1.5 Разработка технологии нанесения наноразмерного покрытия для увеличения внешней квантовой эффективности 20

1.6 Моделирование оптических характеристик с помощью просветляющих покрытий 29

1.7 Исследования оптических характеристик просветляющих покрытий на различных подложках 31

1.8. Исследование просветляющих покрытий на гетероструктурах 36

1.9 Технология получения наноразмерных покрытий для увеличения внешней квантовой эффективности 40

Список литературы к разделу 1 43

2 Устройства управления и питания светотехнических устройств 49

2.1 Описание драйвера 20 Вт (УПС20) 49

2.2 Описание драйвера 150 Вт 51

2.3 Описание драйвера 20 Вт (-60 - +50 ⁰С) 60

2.4. Сравнение с аналогами 64

2.5 Описание новых технических решений 65

2.6 Расчёты, подтверждающие работоспособность и надежность конструкции 70

Список литературы к разделу 2 71

3 Технология плоттерной печати 73

3.1 Растворы на основе сополифлуоренов для плоттерной печати матриц органических светодиодов (ОСИД) 74

3.2. Печать транспортного (дырочного) слоя 84

3.3. Печать активных (светоизлучающих) слоев 87

3.4. Печать изолирующего слоя (диэлектрика) 88

3.5. Печать проводящего (металлического) слоя 92

3.6. Влияние параметров отжига на электрическое сопротивление элементов печатной электроники 93

Список литературы к разделу 3 96