Методика автоматического построения нелинейной модели GaAs HEMT транзистора
Статья в сборнике трудов конференции
Предлагается новая методика построения нелинейной модели GaAs HEMT транзистора. Методика сочетает аналитический подход и многоэтапную оптимизацию параметров, позволяя выполнить построение модели полностью автоматически. В докладе представлено сравнение характеристик построенной нелинейной модели и измерений 0.15мкм GaAs HEMT транзистора.
Библиографическая запись: Билевич, Д. В. Методика автоматического построения нелинейной модели GaAs HEMT транзистора: [Электронный ресурс] / Д. В. Билевич [и др.] // 28-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КРЫМИКО'2018) (Севастополь, 9-15 сентября 2018 г.). – Севастополь: ФГАОУ ВО "Севастопольский государственный университет", 2018. – С. 86-92.
Ключевые слова:
КОМПАКТНАЯ НЕЛИНЕЙНАЯ МОДЕЛЬ GAAS PHEMT АВТОМАТИЧЕСКАЯ МЕТОДИКА ЭКСТРАКЦИИ COMPACT NONLINEAR MODEL GAAS HEMT AUTOMATED EXTRACTION TECHNICКонференция:
- 28-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КРЫМИКО'2018)
- Россия, Крым, Севастополь, 9-15 сентября 2018,
- Международная
Издательство:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Севастопольский государственный университет"
Россия, Крым, Севастополь