Сайты ТУСУРа

Методика автоматического построения нелинейной модели GaAs HEMT транзистора

Статья в сборнике трудов конференции

Предлагается новая методика построения нелинейной модели GaAs HEMT транзистора. Методика сочетает аналитический подход и многоэтапную оптимизацию параметров, позволяя выполнить построение модели полностью автоматически. В докладе представлено сравнение характеристик построенной нелинейной модели и измерений 0.15мкм GaAs HEMT транзистора.

Библиографическая запись: Билевич, Д. В. Методика автоматического построения нелинейной модели GaAs HEMT транзистора: [Электронный ресурс] / Д. В. Билевич [и др.] // 28-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КРЫМИКО'2018) (Севастополь, 9-15 сентября 2018 г.). – Севастополь: ФГАОУ ВО "Севастопольский государственный университет", 2018. – С. 86-92.

Конференция:

  • 28-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КРЫМИКО'2018)
  • Россия, Крым, Севастополь, 9-15 сентября 2018,
  • Международная

Издательство:

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Севастопольский государственный университет"

Россия, Крым, Севастополь

Год издания:  2018
Страницы:  86 - 92
Язык:  Русский
Индексируется в РИНЦ