Исследование волноводный свойств эпитаксиальной структуры GаN/InGaN – сапфир
Статья в сборнике трудов конференции
Кристалл нитрида галлия является одним из самых перспективных оптоэлектронных материалов. Спектр применения кристаллов очень широкий, они используются для изготовления светодиодов сине-зеленой области видимого спектра, светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона, а также кристаллы хорошо используются в СВЧ-электронике диодов Шоттки, транзизсторов
Библиографическая запись: Исследование волноводный свойств эпитаксиальной структуры GаN/InGaN – сапфир: [Электронный ресурс] / Д. А. Демидова [и др.] // Научная сессия ТУСУР-2016: Сборник научных трудов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых (Томск, 24-25 марта 2016 г.): В 6-ти частях. – Ч. 2. – Томск: В-Спектр, 2016. – С. 257-259.
Ключевые слова:
КРИСТАЛЛ НИТРИДА ГАЛЛИЯКонференция:
- Сборник научных трудов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР-2016»
- Россия, Томская область, Томск, 24-25 марта 2016,
- Международная
Издательство:
В-Спектр
Россия, Томская область, Томск