Спектральные зависимости оптического пропускания и отражения структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Статья в сборнике трудов конференции
В данной работе представлены результаты экспериментального исследования спектральных зависимостей коэффициентов отражения и пропускания структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке.
Библиографическая запись: Аксенов, К. Г. Спектральные зависимости оптического пропускания и отражения структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке: [Электронный ресурс] / К. Г. Аксенов, А. В. Михайленко, А. С. Егорова // Перспективы развития фундаментальных наук: Сборник трудов XVI Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых (Томск, 23 - 26 апреля 2019 г.): В 7 томах. Том 7. IT-технологии и электроника / Под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой. - Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2019. – С. 17-19.
Конференция:
- Перспективы развития фундаментальных наук
- Россия, Томская область, Томск, 23-26 апреля 2019,
- Международная
Издательство:
Изд-во Томского политехнического университета
Россия, Томская область, Томск