Влияние подзатворного заглубления на пробивные характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки

Статья в сборнике трудов конференции

В работе представлены результаты исследования влияния подзатворного заглубления на пробивные характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки. Исследование пробивных характеристик было проведено с использованием приборно-технологического моделирования. Представлены диаграммы скорости генерации носителей заряда, обусловленные механизмом ударной ионизации, а также пробивные характеристики стока для плоской структуры ПТШ и структур с различной глубиной рецесса. Получена зависимость пробивного напряжения стока от глубины рецесса, согласующаяся с экспериментальными данными.

Библиографическая запись: Попов, А. А. Влияние подзатворного заглубления на пробивные характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки: [Электронный ресурс] / А. А. Попов [и др.] // Электронные средства и системы управления: Материалы XV международной научно-практической конференции (20-22 ноября 2019 г.): В 2 ч. – Ч. 1. – Томск: В-Спектр, 2019. – С. 69-71.

Конференция:

• Электронные средства и системы управления: XV Международная научно-практическая конференция
• Россия, Томская область, Томск, 20-22 ноября 2019,
• Международная

Издательство:

В-Спектр

Россия, Томская область, Томск