Изменения оптического поглощения в кристаллахBi₁₂SiO₂₀ после ИК-облучения и отжига в вакууме

Статья в сборнике трудов конференции

Представлены результаты экспериментальных исследований и численной аппроксимации спектральных зависимостей оптического поглощения, наблюдаемых при комнатной температуре в кристаллах Bi₁₂SiO₂₀, подвергнутых отжигу в вакууме при температурах 620 - 720 ˚C и облучению светом с длиной волны λ = 1064 нм.

Библиографическая запись: Изменения оптического поглощения в кристаллахBi₁₂SiO₂₀ после ИК-облучения и отжига в вакууме/ С. М. Шандаров [и др.] //Сборник трудов Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2012», Санкт-Петербург, 15 – 19 октября 2012 г. – СПб.: НИУИТМО, 2012. – С. 85-87.

Конференция:

• Фундаментальные проблемы оптики – 2012
• Россия, Ленинградская область, Санкт-Петербург, 15-19 октября 2012,
• Международная

Издательство:

НИУИТМО

Россия, Ленинградская область, Санкт-Петербург