Фотоиндуцированные изменения оптического поглощения в кристаллах силленитов при засветке лазерными импульсами с длиной волны 1064 нм
Статья в сборнике трудов конференции
В настоящем сообщении представлены результаты экспериментальных исследований и численной аппроксимации спектров оптического поглощения в диапазоне 400–1100 нм в нелегированном кристалле BSO толщиной 2,64 мм, подвергнутом засветке лазерными импульсами c длиной волны 1064 нм и длительностью ~10 нс. При частоте следования F=1 кГц средняя интенсивностью излучения засветки составляла ~110 мВт/см2, а при F=10 кГц она достигала значения ~364 мВт/см2; её продолжительность варьировалась в диапазоне от 15 до 45 минут.
Библиографическая запись: Худякова, Е. С. Фотоиндуцированные изменения оптического поглощения в кристаллах силленитов при засветке лазерными импульсами с длиной волны 1064 нм / Е. С. Худякова, Т. А. Корниенко // Материалы 51-й международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс»: Квантовая физика, Новосибирск, 12 – 18 апреля 2013 г. – Новосибирск: НГУ, 2013. – С. 75
Ключевые слова:
ИК ОБЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ СПЕКТРАЛЬНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ КРИСТАЛЛЫ КЛАССА СИЛЛЕНИТОВКонференция:
- 51-я международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс»
- Россия, Новосибирская область, Новосибирск, 12-18 апреля 2013,
- Международная
Издательство:
Новосибирский государственный университет
Россия, Новосибирская область, Новосибирск