Фотоиндуцированные изменения поглощения света в кристаллах Bi₁₂GeO₂₀ и Bi₁₂SiO₂₀, наведенные импульсным ИК-излучением

Статья в сборнике трудов конференции

В настоящей работе представлены результаты экспериментальных исследований и численной аппроксимации спектральных зависимостей изменений в оптическом поглощении в кристаллах BGO (d1=1,8 мм) и BSO (d2=8 мм) в диапазоне 430 – 1100 нм после их засветки лазерными импульсами с длиной волны λ=1064 нм, длительностью 10 нс, частотой следования 10 кГц и интенсивностью ~245 мВт/см2 в течение времени от 10 до 40 минут.

Библиографическая запись: Фотоиндуцированные изменения поглощения света в кристаллах Bi₁₂GeO₂₀ и Bi₁₂SiO₂₀, наведенные импульсным ИК-излучением / Е. С. Худякова [и др.] // Материалы Всероссийской конференции Студенческих научно-исследовательских инкубаторов. – Томск.: Изд. Дом ТГУ. – 2014. – С. 149 – 151.

Конференция:

• Всероссийская конференция Студенческих научно-исследовательских инкубаторов
• Россия, Томская область, Томск, 20-21 мая 2014,
• Российская

Издательство:

Издательский Дом Томского государственного университета

Россия, Томская область, Томск