Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Моделирование нормально-закрытых силовых GaN-HEMT в среде Silvaco TCAD

Статья в сборнике трудов конференции

Представлены результаты технологического моделирования нормально-закрытого силового транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктуры AlGaN/GaN с подзатворной областью на основе p-GaN. Моделирование проводилось в среде Silvaco TCAD. Исследовались зависимость порогового напряжения и максимального тока стока от толщины барьерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в нем. Увеличение мольной доли алюминия от 0,1 до 0,3 в барьерном слое AlGaN приводит к снижению порогового напряжения от 3,3 В до 2 В и росту тока насыщения транзистора с 3 мА до 60 мА. Увеличение толщины барьерного слоя AlGaN с 5 до 25 нм приводит к падению порогового напряжения с 3,2 до 1 В и увеличению увеличению тока насыщения исток-сток (IНАС) до максимального значения IНАС=46 мА. Полученные результаты согласуются с данными из литературных источников.

Библиографическая запись: Федина, В. В. Моделирование нормально-закрытых силовых GaN-HEMT в среде Silvaco TCAD / В. В. Федина, Е. В. Ерофеев, И. В. Федин // Электронные средства и системы управления: Материалы XIII Международной научно-практической конференции. - №1-1. - Томск: В-Спектр, 2017. - С. 100-102.

Конференция:

  • Электронные средства и системы управления
  • Россия, Томская область, Томск, 29 ноября-01 декабря 2017,
  • Международная

Издательство:

ТУСУР

Россия, Томская область, Томск

Год издания:  2017
Страницы:  100 - 102
Язык:  Русский
Индексируется в РИНЦ