Экстракция параметров линейной модели кристалла диода Шоттки ТГц-диапазона

Статья в сборнике трудов конференции

A linear model of the planar Schottky diode with air bridge with whisker was extracted. This model allows simulation of the Schottky diode up to Thz frequency band.

Библиографическая запись: Торхов, Н. А. Экстракция параметров линейной модели кристалла диода Шоттки ТГц-диапазона [Электронный ресурс] / Н. А. Торхов // 9-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, "Мокеровские чтения" (23 мая 2018 г.): Сборник трудов. - М.: НИЯУ МИФИ, 2018. - С. 126-127.

Конференция:

• 9-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, "Мокеровские чтения"
• Россия, Московская область, Москва, 23-23 мая 2018,
• Международная

Издательство:

НИЯУ МИФИ

Россия, Московская область, Москва