Design of linear GaN HEMT model

Статья в сборнике трудов конференции

In this article, one of the methods of extraction of small-signal model parameters is presented. Berroth method was used for the extraction of model parameters. Furthermore, automatisation process of extraction of model parameters is presented. Comparison model with measurements is provided.

Библиографическая запись: Design of linear GaN HEMT model / D. V. Bilevich [et. al.] // Научная сессия ТУСУР–2017: Материалы международной научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвященной 55-летию ТУСУРа (Томск, 10–12 мая 2017г.): В восьми частях. – Ч. 8. – Томск: В-Спектр, 2017. – С. 154-157.

Ключевые слова:

FIELD EFFECT TRANSISTORS HEMT GAN SMALL-SIGNAL MODEL

Конференция:

Международная научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР–2017», посвященная 55-летию ТУСУРа
Россия, Томская область, Томск, 10-12 мая 2017,
Международная

Издательство:

В-Спектр

Россия, Томская область, Томск

Авторы: Билевич Д. В., Попов А. А., Сидорюк Т. Ю., Сальников А. С.

Научный руководитель: Сальников А. С.

Год издания: 2017

Страницы: 154 - 157

Язык: Английский