Экстракция параметров источника тока Ids в нелинейной модели
Статья в сборнике трудов конференции
Описан способ экстракции параметров источника тока Ids в нелинейной модели Angelov. Представлены результаты моделирования ВАХ транзистора и сравнение полученных результатов с реальными измерениями транзистора с высокой подвижностью электронов на основе GaAs. Среднеквадратичное отклонение по всем точкам ВАХ составляет 2,73 мА (при Idsmax = 110 мА).
Библиографическая запись: Экстракция параметров источника тока Ids в нелинейной модели [Электронный ресурс] / Д. В. Билевич [и др.] // Электронные средства и системы управления: Материалы докладов XIII Международной научно-практической конференции (29 ноября – 1 декабря 2017 г.): В двух частях. – Ч. 1. – Томск: В-Спектр, 2017. – С. 113-115.
Конференция:
- Электронные средства и системы управления: XIII Международная научно-практическая конференция, посвященная 55-летию ТУСУРа
- Россия, Томская область, Томск, 29 ноября-01 декабря 2017,
- Международная
Издательство:
В-Спектр
Россия, Томская область, Томск