Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Результаты научной деятельности

Построение линейной модели СВЧ-транзистора

Статья в сборнике трудов конференции
Международная научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР–2017» посвященная 55-летию ТУСУРа
2017 Опубликовано больше 6 лет назад

Алгоритм автоматического построения малосигнальной модели GaAs pHEMT-транзистора и его реализация в САПР

Статья в сборнике трудов конференции
5-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули»
2019 Опубликовано больше 5 лет назад

Влияние длины затвора на параметры малосигнальной модели и на частотные характеристики транзистора

Статья в сборнике трудов конференции
Электронные средства и системы управления: XV Международная научно-практическая конференция
2019 Опубликовано почти 5 лет назад

Анализ схемных решений и разработка СВЧ-интегрального усилителя с распределённым усилением на основе 0,15 мкм GaAs-pHEMT-технологии

Статья в сборнике трудов конференции
Электронные средства и системы управления: XV Международная научно-практическая конференция
2019 Опубликовано почти 5 лет назад

Обзор методик построения малосигнальных моделей транзисторов для управляющих СВЧ-устройств

Статья в журнале
Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника
2020 Опубликовано больше 4 лет назад

Разработка масштабируемой малосигнальной модели 0,1 мкм GaAs-pHEMT-транзистора для усилительных применений

Статья в журнале
Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники
2022 Опубликовано почти 2 года назад