Выпускная квалификационная работа Сыщенко Евгения
Название: Физическое 2D-моделирование статических и СВЧ параметров GaAs HEMT
Тип: Диссертация
Год защиты: 2017
Руководитель: Торхов Н.А.
Факультет: Факультет вычислительных систем (ФВС)
Образовательная программа: 09.04.01 Информатика и вычислительная техника, Информационное обеспечение аппаратно-программных комплексов