Выпускная квалификационная работа Ипатовой Екатерины Олеговны
Название: Формирование омических контактов для создания AlGaN/GaN HEMT
Тип: Бакалаврская работа
Год защиты: 2017
Факультет: Факультет электронной техники (ФЭТ)
Образовательная программа: 11.03.04 Электроника и наноэлектроника, Микроэлектроника и твердотельная электроника