Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Local ion-plasma etching of dielectrics initiated and controlled by the electron beam in fore-vacuum pressure range

Статья в журнале

Etching of quartz sample by the flow of energetic ions from the beam plasma produced by continuous electron beam injected in a dielectric cavity in argon in medium vacuum (2.7 Pa) was demonstrated. The energy of bombarding ions was adjusted by the voltage drop on a sheath between a plasma boundary and the cavity bottom charging by the electron beam, so the beam was the only source of generating ions and adjusting their energy. It was found that the etching rate grows with the electron beam energy following the increase in the absolute value of the near-bottom voltage drop.

Журнал:

  • Vacuum
  • Elsevier Science Publishing Company, Inc. (Amsterdam)
  • Индексируется в Scopus, Web of Science

Библиографическая запись: Local ion-plasma etching of dielectrics initiated and controlled by the electron beam in fore-vacuum pressure range / A. V. Tyunkov [et al.] // Vacuum. – 2020. – Vol. 180. – P. 109573. – DOI: 10.1016/j.vacuum.2020.109573

Индексируется в:

Год издания:  2020
Страницы:  1 - 5
Язык:  Английский
DOI:  10.1016/j.vacuum.2020.109573