11.03.03 - Конструирование и технология электронных средств (Конструирование и технология наноэлектронных средств) План в архиве
Очная форма обучения, план набора 2014 г.
Изучается: 3 семестр
Цикл дисциплины: Б1. Дисциплины (модули)
Индекс дисциплины: Б1.Б.10
Обеспечивающая кафедра: Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры
Рабочая программа
Основная литература
Гуртов В.А. Твердотельная электроника: учебное пособие для вузов. – 2-е изд., доп. – М.: Техносфера, 2005. – 406 с.
Доступно в библиотеке:
57
экземпляров
Несмелов Н. С., Славникова М. М., Широков А. А. ''Физические основы микроэлектроники (конспект лекций)'': Учебное пособие для вузов – ТУСУР, Томск, 2007.- 276 с.
Доступно в библиотеке:
189
экземпляров
Дополнительная литература
С. Зи ''Физика полупроводниковых приборов''.- М., Мир, 1984, 1 том (450 с.), 2 том
(450 с.).
Доступно в библиотеке:
14
экземпляров
Драгунов ВП., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники:учебное пособие для вузов – М.:Физматкнига, 2006. – 494 с.
Доступно в библиотеке:
30
экземпляров
Боргардт Н.И., Гаврилов С.А.,Герасименко Н.Н. и др. Нанотехнологии в электронике. –М.: Техносфера, 2005. -446 с
Доступно в библиотеке:
20
экземпляров
Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. ''Микроэлектроника. Физические и
технологические основы, надежность'': Учебное пособие для вузов – М. ВШ, 1986.
- 464 с.
Доступно в библиотеке:
52
экземляра
М. Херман ''Полупроводниковые сверхрешетки''.- М., Мир, 1989.- 238 с.
Доступно в библиотеке:
5
экземпляров
Учебно-методическое пособие
Несмелов Н.С., Романовский М. Н., Славникова М.М. Исследование структуры металл — диэлектрик — полупроводник. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 10с.
Доступно в библиотеке:
25
экземпляров
Несмелов Н.С., Славникова М.М. «Исследование температурной зависимости электропроводности германия» Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 10с.
Доступно в библиотеке:
25
экземпляров
Несмелов Н.С., Славникова М.М. Исследование фотопроводимости полупроводников и определение релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 12с.
Доступно в библиотеке:
25
экземпляров
Несмелов Н.С., Широков А.А. Исследование эффекта сильного поля в полупроводнике (Эффект Ганна). Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 11с.
Доступно в библиотеке:
25
экземпляров
Несмелов Н.С., Широков А.А. Сборник задач и методические указания по проведению практических занятий по дисциплине « Физические основы микроэлектроники». - Томск, ТУСУР, 2007. -72 с.
Доступно в библиотеке:
132
экземляра
Контрольные испытания
| Вид контроля | Семестры |
|---|---|
| Экзамен | 3 |
Объем дисциплины и виды учебной деятельности
| Вид учебной деятельности | 1 семестр | 2 семестр | 3 семестр | 4 семестр | 5 семестр | 6 семестр | 7 семестр | 8 семестр | Всего | Единицы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Лекция | 28 | 28 | часов | |||||||
| Практическая работа | 28 | 28 | часов | |||||||
| Лабораторная работа | 16 | 16 | часов | |||||||
| Всего аудиторных занятий | 72 | 72 | часов | |||||||
| Самостоятельная работа | 36 | 36 | часов | |||||||
| Всего (без экзамена) | 108 | 108 | часов | |||||||
| Подготовка и сдача экзамена/зачета | 36 | 36 | часов | |||||||
| Общая трудоемкость | 144 | 144 | часов | |||||||
| 4 | 4 | З.Е |
Компетенции
| Код | Содержание |
|---|---|
| ОПК-2 | способностью выявлять естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлекать для их решения соответствующий физико-математический аппарат |