Сайты ТУСУРа

Физические основы микро- и наноэлектроники, 2017

Рабочая программа учебной дисциплины

Направление подготовки: 11.03.03 Конструирование и технология электронных средств

Профиль: Конструирование и технология наноэлектронных средств, очная форма обучения, КУДР

Учебный план набора 2014 года (План в архиве)

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры


 

Год издания: 2017

Основная литература

Гуртов В.А. Твердотельная электроника: учебное пособие для вузов. – 2-е изд., доп. – М.: Техносфера, 2005. – 406 с.
Доступно в библиотеке: 57 экземпляров

Несмелов Н. С., Славникова М. М., Широков А. А. ''Физические основы микроэлектроники (конспект лекций)'': Учебное пособие для вузов – ТУСУР, Томск, 2007.- 276 с.
Доступно в библиотеке: 189 экземпляров

Дополнительная литература

С. Зи ''Физика полупроводниковых приборов''.- М., Мир, 1984, 1 том (450 с.), 2 том (450 с.).
Доступно в библиотеке: 14 экземпляров

Драгунов ВП., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники:учебное пособие для вузов – М.:Физматкнига, 2006. – 494 с.
Доступно в библиотеке: 30 экземпляров

Боргардт Н.И., Гаврилов С.А.,Герасименко Н.Н. и др. Нанотехнологии в электронике. –М.: Техносфера, 2005. -446 с
Доступно в библиотеке: 20 экземпляров

Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. ''Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность'': Учебное пособие для вузов – М. ВШ, 1986. - 464 с.
Доступно в библиотеке: 52 экземляра

М. Херман ''Полупроводниковые сверхрешетки''.- М., Мир, 1989.- 238 с.
Доступно в библиотеке: 5 экземпляров

Учебно-методическое пособие

Несмелов Н.С., Романовский М. Н., Славникова М.М. Исследование структуры металл — диэлектрик — полупроводник. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 10с.
Доступно в библиотеке: 25 экземпляров

Несмелов Н.С., Славникова М.М. «Исследование температурной зависимости электропроводности германия» Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 10с.
Доступно в библиотеке: 25 экземпляров

Несмелов Н.С., Славникова М.М. Исследование фотопроводимости полупроводников и определение релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 12с.
Доступно в библиотеке: 25 экземпляров

Несмелов Н.С., Широков А.А. Исследование эффекта сильного поля в полупроводнике (Эффект Ганна). Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 11с.
Доступно в библиотеке: 25 экземпляров

Несмелов Н.С., Широков А.А. Сборник задач и методические указания по проведению практических занятий по дисциплине « Физические основы микроэлектроники». - Томск, ТУСУР, 2007. -72 с.
Доступно в библиотеке: 132 экземляра


Дисциплины

+

Физические основы микро- и наноэлектроники

Направление подготовки (специальность): 11.03.03 Конструирование и технология электронных средств

Профиль: Конструирование и технология наноэлектронных средств

Индекс дисциплины: Б1.Б.10

Форма обучения: очная

Факультет: РКФ

Кафедра: КУДР

Курс: 2

Семестр: 3

Учебный план набора 2014 года

План в архиве

+

Физические основы микро- и наноэлектроники

Направление подготовки (специальность): 11.03.03 Конструирование и технология электронных средств

Профиль: Проектирование и технология радиоэлектронных средств

Индекс дисциплины: Б1.Б.10

Форма обучения: очная

Факультет: РКФ

Кафедра: КУДР

Курс: 2

Семестр: 3

Учебный план набора 2014 года

План в архиве

+

Физические основы микро- и наноэлектроники

Направление подготовки (специальность): 11.03.03 Конструирование и технология электронных средств

Профиль: Технология электронных средств

Индекс дисциплины: Б1.Б.10

Форма обучения: очная

Факультет: РКФ

Кафедра: КУДР

Курс: 2

Семестр: 3

Учебный план набора 2014 года

План в архиве