Методические указания по выполнению лабораторной работы
Транзистор представлен в реальных схемах как линейный активный четырехполюсник, параметры которого связаны с собственными параметрами транзистора. Предлагается изучить зависимость параметров транзисторов от режима смещения: коэффициента передачи тока эмиттера, сопротивления базы, сопротивления коллектора.
Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры
Библиографическая запись:
Агафонников, В. Ф. Измерение h-параметров транзисторов: Методические указания по выполнению лабораторной работы [Электронный ресурс] / В. Ф. Агафонников. — Томск: ТУСУР, 2012. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1295
