Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Измерение h-параметров транзисторов

Методические указания по выполнению лабораторной работы

Транзистор представлен в реальных схемах как линейный активный четырехполюсник, параметры которого связаны с собственными параметрами транзистора. Предлагается изучить зависимость параметров транзисторов от режима смещения: коэффициента передачи тока эмиттера, сопротивления базы, сопротивления коллектора.

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Агафонников, В. Ф. Измерение h-параметров транзисторов: Методические указания по выполнению лабораторной работы [Электронный ресурс] / В. Ф. Агафонников. — Томск: ТУСУР, 2012. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1295
Год издания: 2012
Количество страниц: 10
Скачиваний: 151