Методические рекомендации для практических занятий и для организации самостоятельной работы студента для направления магистерской подготовки 222000.68 «Инноватика», профиль «Управление инновациями в электронной технике»
Кафедра управления инновациями
Библиографическая запись:
Оглавление (содержание)
Введение
Практическое занятие No 1 по разделу 1 Введение. Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.
1.1. Производство поликристаллического кремния по технологии восстановления в плазме СВЧ разряда
1.2. Получение монокристаллического кремния.
Практическое занятие No 2 по разделу 1 Введение. Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.
2.1. Новейшие материалы полупроводниковой электроники молибденит и графен: технологии получения и применение.
2.2. В направлении к графеновой электронике
Практическое занятие No 3 и No 4 по разделу No 2 Актуальные проблемы интегральной микроэлектроники.
3.1. Проблемы на пути перехода от микро– к наноэлектронике
4.1. Новые подходы к созданию электроники наноразмерных элементов и наноструктур
Практическое занятие No 5 по разделу No 3 Актуальные проблемы функциональной электроники.
5.1. Единая модель прибора функциональной электроники
5.2. Винтовая неустойчивость тока в полупроводниках
Практическое занятие No 6 по разделу No 3 Актуальные проблемы функциональной электроники.
6.1. Фундаментальный и практический интерес к исследованиям ВН
6.2. Магниточувствительный элемент с частотным выходом
6.3. Термочувствительный элемент с частотным выходом
Практические занятия No 7 и 8 по Разделу 4 Графеновая электроника – электроника будущего.
7.1. Высокоскоростные графеновые транзисторы
7.2. Эффективные транзисторы на основе графеновых полос.
8.1. Проблема малого отношения токов открытого и закрытого состояний в полевых транзисторах на основе графена.
Самостоятельная работа студента. Вопросы теоретической части курса, отводимые на самостоятельную проработку
1. к Разделу 1 Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.
1.1. Кремний «солнечного качества»: производство в России. Фотоэлектрических преобразователи
1.2. Органическая электроника - современные тенденции и перспективы.
2. к Разделу 2 Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.
2.1. Энергонезависимая резистивная память (Resistive RAM, RRAM)- терабайты объема и высокое быстродействие.
2.2. Новая технология микроскопии для контроля производства трехмерных полупроводниковых чипов TSOM (Through-Focus Scanning Optical Microscopy).
3. к Разделу 3 Актуальные проблемы функциональной электроники.
3.1. Приборы на эффекте Ганна. Диэлектрическая электроника. Хемотроника. Молекулярная электроника и биоэлектроника.
4. к Разделу 4 Графеновая электроника – электроника будущего.
4.1.Трехмерная графеновая электроника.
4.2. Германан - новый материал полупроводниковой электроники: получение и перспективные приборы.
Самостоятельная работа студента. Темы рефератов
1.1. к Разделу 1 Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.
1.2. к Разделу 2 Актуальные проблемы интегральной микроэлектроники.
1.3. к Разделу 3 Актуальные проблемы функциональной электроники.
1.4. к Разделу 4 Графеновая электроника – электроника будущего.
Контрольные вопросы по курсу
Библиографический список
Современные проблемы электроники
27.03.05 Инноватика (Управление инновациями в электронной технике) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве