Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»
В методических указаниях кратко изложено образование барьерной емкости,
зависимость емкости от приложенного напряжения и метода формирования электронно-дырочного перехода. Объяснено формирование вольтамперной характеристики.
Рассмотрены методы измерения зависимости емкости от приложенного напряжения.
Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные
вопросы и список рекомендуемой литературы.
Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и
наноэлектроники».
Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры
Библиографическая запись:
Славникова, М. М. Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводникового диода: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова, С. А. Артищев. — Томск: ТУСУР, 2022. — 12 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9960
Оглавление (содержание)
Введение……………………………………………………………………............................... 4
1 Описание установки и методики измерения вольтамперной и вольтфарадной
характеристик диода….……………………………………………………………………......... 4
2 Задание……………………………………………………………………………………........... 12
3 Данные для расчета…………………………………………...…………………….……...... 12
4 Контрольные вопросы……………………………………………………………………....... 12
Список рекомендуемой литературы…………………………………….……………..….... 13
