Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводникового диода

Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»

В методических указаниях кратко изложено образование барьерной емкости, зависимость емкости от приложенного напряжения и метода формирования электронно-дырочного перехода. Объяснено формирование вольтамперной характеристики. Рассмотрены методы измерения зависимости емкости от приложенного напряжения. Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и наноэлектроники».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводникового диода: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова, С. А. Артищев. — Томск: ТУСУР, 2022. — 12 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9960

Авторы: Славникова М. М. и Артищев С. А.

Год издания: 2022

Количество страниц: 12

Скачиваний: 212