Для доступа необходимо войти в систему
Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»
В методических указаниях кратко изложено взаимодействие двух близкорасположенных электронно-дырочных переходов. Показано, что от расстояния между переходами – ширины база – зависит ток коллекторного перехода биполярного транзистора,
мощность и максимальная рабочая частота. Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и наноэлектроники».
Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры
Библиографическая запись:
Славникова, М. М. Исследование эффекта Ганна: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова, С. А. Артищев. — Томск: ТУСУР, 2022. — 11 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9958
Оглавление (содержание)
Введение……………………………………………………………………........................ 4
2 Вольт-амперная характеристика диода Ганна...…………………………………. 4
3 Доменная устойчивость..…………………...…………………………………………... 8
4 Порядок выполнения работы…..……………………………………………………... 10
5 Контрольные вопросы………………………………………………………………….... 11
Список рекомендуемой литературы…………………………………….……………... 11