Сайты ТУСУРа

Измерение ширины базы биполярного транзистора

Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»

В методических указаниях кратко изложено взаимодействие двух близкорасположенных электронно-дырочных переходов. Показано, что от расстояния между переходами – ширины база – зависит ток коллекторного перехода биполярного транзистора, мощность и максимальная рабочая частота. Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и наноэлектроники»

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Измерение ширины базы биполярного транзистора: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова, С. А. Артищев. — Томск: ТУСУР, 2022. — 7 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9961
Год издания: 2022
Количество страниц: 7
Скачиваний: 70

Оглавление (содержание)

Введение……………………………………………………………………................................................... 4

1 Измерение расстояния между двумя плоскостными P-N переходами – ширины базы........4

2 Задание………………………………………………………………………………….............................…... 5

3 Справочные данные для расчета ширины базы транзистора…………………….............……... 6

4 Порядок работы……………………………………………………………………..........................….….... 6

5 Контрольные вопросы……………………………………………………………….........................….….. 7

Список рекомендуемой литературы…………………………………….………….........................…..… 7


Похожие пособия