Approaches to development of behavioral models of semiconductor etching process

Статья в сборнике трудов конференции

The possibility and principles of using multivariate linear regression and artificial neural networks for modelling plasma-chemical etching process of deep trench etching in silicon substrate are considered. Accurate and robust models based on multivariate linear regression and artificial neural networks were developed in order to predict the trench depth.

Библиографическая запись: Approaches to development of behavioral models of semiconductor etching process / А. А. Попов [и др.] // Научная сессия ТУСУР–2017: Материалы международной научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвященной 55-летию ТУСУРа (Томск, 10–12 мая 2017 г.): В восьми частях. – Ч. 8. – Томск: В-Спектр, 2017. – С. 199-202.

Конференция:

• Международная научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР–2017», посвященная 55-летию ТУСУРа
• Россия, Томская область, Томск, 10-12 мая 2017,
• Международная

Издательство:

В-Спектр

Россия, Томская область, Томск