Методические указания по выполнению лабораторной работы
Рассмотрен режим работы полупроводникового диода в импульсном режиме, проанализировано уравнение непрерывности для дырок, инжектированных в n-область при низком уровне инжекции ( ∆p‹‹∆n ). Дано задание по определению эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода.
Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры
Библиографическая запись:
Агафонников, В. Ф. Изучение переходных процессов в полупроводниковом диоде: Методические указания по выполнению лабораторной работы [Электронный ресурс] / В. Ф. Агафонников. — Томск: ТУСУР, 2012. — 12 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1297
