Методические указания к лабораторной работе для студентов направления 200700.62 – Фотоника и оптоинформатика
Целью настоящей работы является исследование характеристик и параметров транзистора и изучение влияния температуры на их свойства.
В работе снимаются семейства входных и выходных характеристик, характеристик передачи тока и обратной связи по напряжению при включении транзистора с общей базой и общим эмиттером. По полученным характеристикам для номинального режима вычисляются h - параметры и параметры T - образной схемы транзистора.
В ходе выполнения работы у студентов формируется:
- способность планировать и проводить эксперименты, обрабатывать и анализировать их результаты (ПК-13);
- способность применять современные методы проектирования производственно-технологических процессов в профессиональной области (ПК-27).
Библиографическая запись:
Арестов, С. И. Исследование статических характеристик транзистора: Методические указания к лабораторной работе для студентов направления 200700.62 – Фотоника и оптоинформатика [Электронный ресурс] / С. И. Арестов, А. С. Шангин. — Томск: ТУСУР, 2013. — 22 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/3470
Оглавление (содержание)
1 Введение
2 Теоретическая часть
2.1 Устройство транзистора
2.2 Схема включения транзистора
2.3 Режим работы транзистора
2.4 Принцип работы транзистора
2.5 Статические характеристики транзистора
2.6 Параметры и эквивалентные схемы
2.7 Контрольные вопросы
3.Экспериментальная часть
3.1 Задание
3.2 Описание лабораторного стенда
3.3 Снятие статических характеристик
3.4 Методические указания
3.5 Определение параметров по статическим характеристикам транзистора
3.6 Обработка результатов измерений
3.7 Содержание отчета
4.Рекомендуемая литература
