Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»
В методических указаниях кратко изложена работа биполярного транзистора (БПТ) как четырехполюсника, показаны возможные три схемы включения БПТ, составляющие коэффициента усиления, связь между собственными параметрами и параметрами
четырехполюсника. Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и наноэлектроники».
Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры
Библиографическая запись:
Славникова, М. М. Измерение h-параметров биполярного транзистора: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова, С. А. Артищев. — Томск: ТУСУР, 2022. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9962
Оглавление (содержание)
Введение……………………………………………………………………......................... 4
1 Измерение h-параметров биполярного транзистора…………………….……. 4
2 Зависимость параметров транзистора от режима
смещения………………………………………………………………….....……………….... 7
3 Задание……………………………………………………………………..…………….…... 9
4 Контрольные вопросы …………………………………………………..………..….... 10
Список рекомендуемой литературы…………………………………….…………….. 10
