Исследование свойств МДП-структур

Важным направлением развития электронной техники является миниатюризация ее элементов и приборов. В конце 60-тых годов начала развиваться новая технология их изготовления – планарная технология. Основным ее отличием от предшествующих технологий являлось изготовление приборов, принцип работы которых основан на электронных процессах, протекающих в приповерхностном слое полупроводника при приложении к нему электрического поля. Таким способом оптимально решались две задачи: во-первых, нанесением на поверхность диэлектрического слоя малой толщины осуществлялась ее защита (пассивация) от случайных внешних воздействий, что резко повышало стабильность прибора и срок его службы; во-вторых, через диэлектрик прикладывалось электрическое поле, что исключало токи проводимости и снижало энергопотребление планарного устройства. В этой связи дальнейший прогресс в развитии твердотельной электроники связан с изучением электронных свойств приповерхностных слоев полупроводников, свойств межфазных границ типа «диэлектрик - полупроводник». По этим причинам изучение свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) представляется важным как для понимания принципа работы всех поверхностно-барьерных приборов современной твердотельной электроники, так и современных методов исследования их параметров.