Сайты ТУСУРа

Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники, 2018

Рабочая программа учебной дисциплины

Направление подготовки: 11.04.04 Электроника и наноэлектроника

Профиль: Твердотельная электроника, очная форма обучения, ФЭ

Учебный план набора 2018 года (План в архиве)

Кафедра физической электроники


Год издания: 2018

Основная литература

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.; Ред. Д.В. Ди Лоренцо, Ред. Д.Д. Канделуола, Ред. пер. Г.В. Петров. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
Доступно в библиотеке: 23 экземляра

Дополнительная литература

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ. / У.Ф. Уиссмен [и др.]; ред. Н. Айнспрук, ред. У.Ф. Уиссмен, ред. пер. В.Н. Мордкович. – М.: Мир, 1988. – 555 с.
Доступно в библиотеке: 7 экземпляров

Учебно-методическое пособие

Данилина, Тамара Ивановна. Технология СБИС : Учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для студентов специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". - Томск : ТУСУР , 2007. - 70 с.
Доступно в библиотеке: 49 экземпляров


Дисциплины

+

Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники

Направление подготовки (специальность): 11.04.04 Электроника и наноэлектроника

Профиль: Твердотельная электроника

Индекс дисциплины: Б1.В.ОД.3.2

Форма обучения: очная

Факультет: ФЭТ

Кафедра: ФЭ

Курс: 1

Семестр: 1

Учебный план набора 2018 года

План в архиве